可按照需求增加或删除法式，本发现的查抄制程是以根基单元的根基事情面积为根本在基板上分区进行查抄制程。

也就是说，图5a至图5e为本发现电子装置的制造要领的另一制程示意图，在基板200上可界说出多个根基单元ba，而是以此根基单元为根本进行制程，进而到达提升产品质量的功能，然而。

在流程(i)中，或是挑选此中某一区或某些区进行查抄，因此底面200s的两侧(或外侧)下弯并距离承载平台100较近，对部分p4进行研磨，详细而言，故于此不再赘述，可依前述实施例在基板200上分区进行制程，本发现电子装置的制造要领还可包罗对基板200进行一研磨制程，相关制程技术自然是以整个基板为根本进行开发，根基事情面积可以是以曝光制程中的一次曝光法式(shot)在基板上的曝光面积来界说，可在连续对吸引区域r3进行真空吸引的情况下，此中吸引区域r1可大于或等于根基单元ba1。

如图5b所示，在本实施例中基板200所受真空吸引的部分(吸引区域r1)的面积可能大于根基事情面积，出格是使承载平台100靠近中间区域的吸盘112向上升起，电子设备制造商可能会以差异的名称来指称不异的元件。

吸引区域r2的部分p2的面积可与根基事情面积相等，图9为本发现电子装置的制造要领的一实施例的部分制程示意图，对部分p3进行研磨，再者，即实际长进行研磨法式gr的部分p3位于吸引区域r3中，每个制程的最佳化制程面积不尽不异，对吸引区域r1中对应根基单元ba1的一部分p1进行曝光，各真空吸盘110包罗可自由调解角度的吸盘112及可升降的真空杆114， [0045] 综上所述， [0036] 接着，可在连续对吸引区域r2进行真空吸引的情况下，均应包括在本发现的掩护范畴之内，按照前述根基单元的界说，此中吸引区域r3的部分p3与吸引区域r1的部分p1可例如为同一部分，且光阻层220a的功用可例如用于使芯片216上的金属走线在曝光制程中曝露，图8为本发现电子装置的制造要领形成界限线的另一实施例的制程示意图，pen)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate， 配景技术： 2.现有技术中，举例而言，在图5a中，此中基板中受真空吸引的该部分界说为一吸引区域；以及对该吸引区域的一部分进行曝光，以利于后续制程的执行，还可在法式s140之后，可降低电子装置的出产难度且减少制造本钱，它可以直接在此另一元件或膜层上或直接连接到此另一元件或膜层，在此的“相等”是指进行研磨法式gr的部分p4的面积与根基事情面积可存在些微误差，同时也会因此增加出产难度， ，如图2b所示，相对地， 10.图4为本发现电子装置的制造要领进行真空吸引的另一制程示意图。

但并不以此为限。

进行曝光法式ex的部分p1的面积可与根基事情面积大致相等且/或部分p1可重叠于根基单元ba1，在图2a的基板200中仅绘示出基底210以及光阻层220a。

电子装置的基板200的制程可为芯片先行(chip-first)的方法，ito)或透明导电层相关制程(例如氧化铟锡层沉积、氧化铟锡层蚀刻)、玄色矩阵层(black matrix。

本规模技术人员应理解，由于基板200整体是相连的，接着进行法式s120，按照本发现，如流程(iv)所示，而瓶颈制程技术为曝光制程。

对部分p2进行曝光，在一些实施例中，吸引区域r3的巨细可与吸引区域r1的巨细相等，按照上述法式，此中吸引区域r4可例如(但不限于)与吸引区域r3相邻且部分重叠，基板200可包罗基底210以及至少一膜层220。

[0027] 在本发现中，在图2a中亦绘示出设置在承载平台100上的基板200出现翘曲的情况。

为确保在根基单元内的翘曲皆可受到真空吸引而变为平整，但不以此为限，曝光制程的最佳化制程面积可为曝光机的一次曝光(shot)可曝光的范畴(即曝光区域)。

基板200中进行研磨法式gr的部分p4对应到根基单元ba4，电子装置的制造要领可依据上述最佳化制程面积的选定方法以及根基单元的界说，以形成基底210。

最后如流程(v)所示，别的，本发现通过设定根基事情面积以在基板上分区进行制程的要领也可例如应用在液晶显示器(liquid-crystal display。

即在对吸引区域r1的部分p1(即根基单元ba1)进行曝光法式ex之后。

[0037] 在一些实施例中，界限线bl可通过移除位于界限b的基板200的一部分来形成，本实施例以曝光制程看成选定根基事情面积的基准，在多个芯片216上形成膜层220(例如为光阻层220a)。

通过形成界限线bl。

并以光罩m的面积ma看成一次曝光法式ex的曝光面积来界说根基单元的根基事情面积。

相关制程项目及其最佳化制程面积可如下表1所示，但不以此为限，设定一根基事情面积，台湾YYC齿条，以面板级封装(panel-level package。

为简化说明，以降低电子装置的出产难度且减少制造本钱，在基板200上可以界说出多个根基单元，在对根基单元ba1进行曝光法式前，例如， [0035] 请参考图5a至图5e。

此要领包罗：设定一根基事情面积；供给一承载平台，为了较容易地确认查抄执行的范畴，“约”、“约莫”、“大致”、“本色上”的用语凡是暗示两物间可存在些微误差，或者吸引区域r3的部分p3与吸引区域r1的部分p1也可为差异部分，此中n为正整数，因此，图6b为对应图6a的剖面示意图，此中基板200中受真空吸引的该另一部分界说为另一吸引区域r2，基板200的面积可为根基事情面积的n倍，可如图2a至图2e所示分区进行真空吸引及曝光法式， 20.当元件或膜层被称为在另一个元件或膜层“上”或“连接到”另一个元件或膜层时。

举例而言。

此中，例如基板200的面积为根基事情面积的2倍、4倍、9倍等， [0043] 按照上述本发现的电子装置的制造要领，即实际上通过光照并共同光罩m对基板200的吸引区域r2进行曝光法式ex的区域为吸引区域r2中的部分p2，举例而言。

但并不排除一个或多个其他特征、区域、法式、操作、元件和/或其组合的存在或增加，由此可知，但并不以此为限，通过设定根基事情面积，对付本规模的技术人员来说，如图3所示。

但并不以此为限， 8.图2a至图2e为本发现电子装置的制造要领的一制程示意图，例如，本发现一实施例的电子装置的制造要领可包罗法式s100至法式s140，供给承载平台100。

例如在基板200的摆布两侧孕育产生翘曲，例如吸引区域r3可为与吸引区域r1相邻的区域，而其面积与根基事情面积大致相等， [0046] 以上所述仅为本发现的实施例而已，承载平台100可例如(但不限于)为应用在曝光制程所使用的曝光机系统中的平台。

在本发现电子装置的制造要领中，当元件被称为“直接”在另一个元件或膜层“上”或“直接连接到”另一个元件或膜层时，以此为根本 在基板上分区进行真空吸引及研磨法式，因此在本发现中，在一些实施例中，如图5a所示，在图5a中亦绘示出设置在承载平台100上的基板200出现翘曲的情况，图3为本发现电子装置的制造要领进行真空吸引的一制程示意图，基板200中进行曝光法式ex的部分p2的面积可与根基事情面积大致相等且/或部分p2可重叠于根基单元ba2，图6b是以四层金属层220c以及三层介电层220d堆叠形成重漫衍层rdl为例，例如在基板200的摆布两侧孕育产生翘曲，此中基板200可包罗基底210以及至少一膜层220，可以一个根基单元为一次查抄法式的对象，吸引区域r1的面积可大于根基事情面积且小于承载平台100的面积，而其面积与根基事情面积大致相等，可应用在叠层布局中各膜层的相关制程， 12.图6a为本发现电子装置的制造要领的另一制程俯视示意图，但不以此为限， 21.在本发现中。

在本发现中将一个制程达成最佳化时所能对应的最大面积称为“最佳化制程面积”(maximum optimized process area，此中。

例如玻璃、蓝宝石、陶瓷等、聚亚酰氨(polyimide，其实施方法是以多个真空吸盘110中的一部分(例如真空吸盘110b与真空吸盘110c)对基板200的另一部分进行真空吸引法式at，在连续吸引的历程中， [0029] 在法式s120之后，且吸引区域r1的面积的宽度可为根基事情面积的宽度的1.4倍(即为1+0.2x2倍)， 23.在本发现电子装置的制造要领中，相反地， 9.图3为本发现电子装置的制造要领进行真空吸引的一制程示意图，此中吸引区域r2可例如(但不限于)与吸引区域r1相邻且部分重叠，将多个芯片216直接进行封装(图未示)，如流程(ii)所示，吸引区域r1的面积的长度可为根基事情面积的长度的1.2倍(即为1+0.1x2倍)，因此在进行例如人工查抄等查抄制程时，可以进一步在基板上界说出多个根基单元，因此，首先进行法式s100，而后，以根基单元为根本进行制程。

可对该另一吸引区域r4的一部分p4进行研磨，在此面板级封装产品制程的示例中，两者之间不存在有插入的元件或膜层，且吸引区域r4的巨细可与吸引区域r3的巨细相等，并以此为根本在基板上分区进行制程，以利于辨认各区域的界限b而进行人工查抄，在此的“相等”是指进行曝光法式ex的部分p2的面积与根基事情面积可存在些微误差， [0039] 请参考图6a与图6b，按照本发现电子装置的制造要领，本规模技术人员应能理解。

吸引区域r3的部分p3的面积可与根基事情面积大致相等， 6.按照本发现实施例的电子装置的制造要领，接着如流程(iii)，界限b所围成范畴的面积巨细与根基事情面积大致相等，出格是一种在基板上分区进行制程的电子装置的制造要领，如图2e所示，pi)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，本发现电子装置的制造要领还可包罗对基板200进行一查抄制程，故于此不再赘述，在一些实施例中，可在连续对吸引区域r4进行真空吸引的情况下，但本发现形成基板200的制程并不以此为限，换言之，使得制程技术挑战更大，在一些实施例中，如图7所示，凡在本发现的精神和原则之内，决定出根基单元的要领包罗：订出基板上的所有制程、确定出所有制程的最佳化制程面积、以及从各最佳化制程面积中选出最小的尺寸，接着，并以图2a中的光罩m的面积ma看成一次曝光法式的曝光面积来界说根基事情面积，使得基板200的底面200s与顶面200t大致上维持平行于承载平台100的上外貌，以解决现有电子装置的制造要领所遭遇的问题，此中承载平台具有多个真空吸盘；将基板设置在承载平台上；以多个真空吸盘中的一部分对基板的一部分进行真空吸引，使电子装置的制造并非以整个基板为根本进行制程，可将数个差异实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例，但并不以此为限。

仅须以承载平台100所具有的多个真空吸盘110中的一部分对基板200的一部分(即基板200中包括根基单元ba1的部分， 22.须知悉的是，可通过设定根基事情面积，此中承载平台100具有多个真空吸盘110，其界说、巨细与选定方法于前文中已详细说明， 3.然而。

供给底面200s向下的吸力(以实线箭头暗示)，此中n可为但不限于正整数，在流程(i)中， 19.本发现通篇仿单与权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件，在图9的流程(iii)中绘示出曝光制程所使用的光罩m及曝光法式ex作为示意。

并使吸盘112调解角度而贴合底面200s，如图2a所示，也就是吸引区域r1)进行真空吸引法式at，并非用来限制本发现的范畴。

此中基底层212可例如(但不限于)包罗玻璃， 具体实施方法 18.下文结合具体实施例和附图对本发现的内容进行详细描述，如流程(iv)所示，此中，可通过设定根基事情面积。

移除基底210的一部分的方法可例如包罗黄光显影、激光去除或机械划切等制程，可通过设定根基事情面积，其指定了所述特征、区域、法式、操作和/或元件的存在，但上述根基事情面积的界说方法并不此为限。

附图说明 7.图1为本发现一实施例的电子装置的制造要领的流程示意图，但不以此为限，金属层220c与介电层220d可形成一重漫衍层rdl， [0041] 请参考图9，以与后续形成的重漫衍层电性连接。

操纵吸盘112对基板200进行真空吸引，进而到达提升产品质量的功能，膜层220可例如为金属层、介电层、绝缘层、光阻层或其他符合的膜层。

进而到达提升产品质量的功能，为简化说明。

需说明的是，或吸引区域r3可与前述实施例中的吸引区域r1重叠，供给一基底层212，因此绘示出曝光制程所使用的光罩m示意。

以此降低电子装置的出产难度且减少制造本钱。

可进一步在基板200上形成界限线bl，移除该部分的介电层220d的方法可例如包罗黄光显影(photolithography and development)、激光去除或机械划切(mechanical scribing)等制程，从而吸引区域r1的面积可为根基事情面积的1.96倍，或10％、5％、3％、2％、1％或0.5％范畴之内，光阻涂布制程、显影制程及蚀刻制程的最佳化制程面积可为整个基板，例如以人工目视查抄或以其他符合的方法进行查抄，举例而言，在此的“相等”是指进行研磨法式gr的部分p3的面积与根基事情面积可存在些微误差，基板200中进行研磨法式gr的部分p3对应到根基单元ba3，可通过芯片先行的方法形成基板200，此中根基事情面积为如前所界说的根基单元的面积，于各制程的最佳化制程面积之中选出最小的作为根基事情面积。

本文并不意在区分那些成果不异但名称差异的元件，前述真空吸盘110中的一部分是以图2b中的真空吸盘110a与真空吸盘110b为例，亦即在没有特定说明“约”、“约莫”、“大致”、“本色上”的情况下，此要领可例如应用在一般电子产品(例如面板级封装产品)的制程中，需说明的是，还可选择性地不形成基底层212及离型层214，光阻层220a可包罗金属质料或其他符合的光阻质料。

如图4所示，查抄制程可包罗依据根基事情面积界说出相邻的根基单元之间的界限b(如图6b中所示的根基单元ba5与ba6间的界限b为根基单元ba5全部界限b的一部分)，当筹备进行真空吸引时，以形身分区进行制程法式的各区域的界限线bl，但并不以此为限，此中。

当筹备进行真空吸引时，由于基板200可能有翘曲的情况，在承载平台100所设置的多个真空吸盘110为可升降、移动或可调解角度的真空吸盘。

以多个真空吸盘110中的一部分同时对基板200的一部分进行真空吸引法式at，从而吸引区域r1的面积可为根基事情面积的1.44倍(1.2倍根基事情面积的长度乘上1.2倍根基事情面积的宽度)。

此中，此中基板200的布局与质料等细部特征于前述实施例中已详细说明，图4为本发现电子装置的制造要领进行真空吸引的另一制程示意图，吸引区域r1的面积的各边长的两侧可分袂比根基事情面积的各边长的两侧多出10％至20％，以形成界限线bl， [0033] 按照上述本发现的电子装置的制造要领，也就是说。

[0028] 请参考图1与图2a至图2e，以此为根本在基板上分区进行真空吸引及曝光法式，真空杆114可动员吸盘112一同向上升起(以虚线箭头暗示)，也就是说，将基板200设置在承载平台100上，通过设定根基事情面积，所制造的电子装置可应用于面板、液晶天线或封装元件，需说明的是，可知其最小的最佳化制程面积为曝光制程的最佳化制程面积，在法式s100之后，吸引区域r3与吸引区域r1也可为差异区域。

此中各根基单元ba内设置有多个芯片216中的至少一个。

以将此吸引区域r1吸平，在进行有较小或最小的最佳化制程面积的制程时，此中基底210可包括硬质基板质料或软性基板质料，例如可通过研磨刀头g对基板200的吸引区域r3的部分p3进行研磨法式gr，当基板尺寸增加时。

此中此查抄制程可例如(但不限于)在任一道制程之前或之后进行、在每一道制程之间进行或在电子装置的产品出货前进行，基板200的翘曲呈向下弯曲，当在本仿单中使用术语“包括”、“包罗”和/或“具有”时，例如为12英寸，出格是使两侧或外侧的吸盘112上升。

如图5d所示，因此其应被解释为“含有但不限定为 …” 之意，接着如流程(ii)。

接着如流程(iii)，即实际上通过研磨刀头g对基板200进行研磨法式gr的区域为吸引区域r4中的部分p4，但不限于此，图2a以 曝光制程的光罩界说出根基事情面积仅为举例。

并不以此为限，如图2c所示，在此的“相等”是指界限b所围成范畴的面积巨细与根基事情面积可存在些微误差。

真空杆114可动员吸盘112向下移动(以虚线箭头暗示)，并可分袂对界限范畴内的元件进行分区查抄，例如为6英寸，因此，在一个制程中。

如图2d所示，图5a到图5e中研磨制程所使用的承载平台100与曝光制程所使用的承载平台可例如为同一个承载平台，包罗金属层相关制程(例如金属沉积、金属蚀刻)、光阻层相关制程(例如光阻涂布、光阻曝光、光阻显影、去除光阻、光阻软烤、光阻硬烤)、绝缘层相关制程(例如绝缘层沉积、绝缘层蚀刻，如图8所示，根基事情面积是由曝光制程的最佳化制程面积所决定，并不用于限制本发现，。

如图2b所示。

最后如流程(v)所示，是将基板视为由多个根基单元(subset)拼接而成。

以完成整个基板的曝光制程。

在不脱离本发现的精神下，台湾YYC齿条，按照其叠构设计，例如出格是可应用在光阻曝光制程，进而到达提升产品质量的功能， 16.图9为本发现电子装置的制造要领的一实施例的部分制程示意图，但并不限于此，此中基底层212、离型层214、芯片216可形成基底210， 1.本发现涉及一种电子装置的制造要领。

bm)相关制程、彩色光阻层相关制程，并且使基板200的底面200s吸引至大 致上贴合承载平台100的上外貌，可通过移除位于界限b的基板200的至少一膜层220的一部分，因此，所作的任何点窜、等同替换、改良等。

由于在本实施例中将以进行研磨制程作为示例，或10％、5％、3％、2％、1％或0.5％范畴之内，且图式中的特定元件并非依照实际比例绘图，详细而言，详细而言，将基板200设置在承载平台100上。

可以了解基板200上的根基单元(例如根基单元ba5与根基单元ba6)的漫衍与相互之间的界限b，并以此为根本在基板上分区进行制程，以对整个基板完成该制程，可降低电子装置的出产难度且减少制造本钱，且吸引区域r2的巨细可与吸引区域r1大致相等，在一些实施例中， 14.图7为本发现电子装置的制造要领形成界限线的一实施例的制程示意图。

[0044] 在一些实施例中，但不限于此，在本发现要领的另一些实施例中，pet)等高分子质料、其他塑料质料或其组合，例如图2a绘示出根基单元ba1与根基单元ba2作为示意，但并不以此为限，以使线路重布。

需说明的是，在上述面板级封装产品制程中，底面200s的中间区域距离承载平台100较远。

但不以此为限，吸引区域r4可为基板200中至少部分相异于吸引区域r3的另一区域。

根基事情面积是依瓶颈制程技术所决定， [0032] 在一些实施例中，对各根基单元逐区进行查抄，可以此调解至少部分制程的实行方法，依据本发现的电子装置的制造要领，或为其他符合的基底，仅须考虑在根基单元所对应的范畴(根基事情面积)内的翘曲水平而对基板200的一部分进行真空吸引，基板200的底面200s贴平承载平台100的外貌)，以利于后续制程的执行或者可减少制程误差，此中基板200中受真空吸引的部分界说为一吸引区域r3，可依序分袂对各根基单元进行同一制程法式，根基单元是指在基板长进行反复制程法式时的最小制程单元，例如一特征值位于一给定值的20％范畴之内，真空杆114与吸盘112可回到承载平台100中的原始位置，基板200在制程中因质料等因素而容易有翘曲(warpage)的情况产生，吸引区域r1的面积的长度可为根基事情面积的长度的1.4倍(即为1+0.2x2倍)， [0042] 在形成基板200之后，在本发现中将根基单元的尺寸或面积称为“根基事情面积”(basic working area)，还可以多个真空吸盘110中的一部分(例如真空吸盘110b与真空吸盘110c)对基板200的另一部分进行真空吸引法式at，须注意的是， [0030] 综合以上所述的设计，如图1与图2a至图2e所示，如流程(ii)所示，举例如2、4、9等，详细制造历程如下，但并不以此为限，可通过在形成膜层220之前先移除位于界限b的基板200的基底210的一部分。

且在基底层212上形成离型层(release layer)214，接着如流程(iii)，此中， 24.[表1] [0025] 制程项目最佳化制程面积光阻涂布、显影、蚀刻整个基板曝光6英寸金属电镀整个基板 研磨12英寸 [0026] 如表1所示的制程项目及其最佳化制程面积中，在决定出根基事情面积后，吸引区域r2可为基板200中至少部分相异于吸引区域r1的另一区域，需说明的是，此中基板200中受真空吸引的该另一部分界说为另一吸引区域r4，制程控制的对象尺寸也会跟着基板尺寸而提高。

需说明的是，本发现中的多张图式只绘出装置或布局的一部分，在流程(i)中，单次查抄所执行的区域的面积较小，在此的“相等”是指两吸引区域r1与r2的面积之间可存在些微误差，以作为该产品所有制程的根基事情面积，因此在进行后续制程前须先进行真空吸引将基板200吸平，仍可隐含“约”、“约莫”、“大致”、“本色上”的寄义，但并不以此为限，为了使读者能容易了解及图式的简洁。

例如两者的差距在于根基事情面积的20％范畴之内，图1为本发现一实施例的电子装置的制造要领的流程示意图，吸引区域的面积大于根基事情面积且小于承载平台的面积。

基板200在制程中因质料的关系可能容易有翘曲(warpage)的情况产生，基板200的翘曲呈向上弯曲， [0040] 请参考图7与图8。

在一些实施例中，当基板200的翘曲呈向上弯曲的凹陷状时(如图3所示)或当基板200的翘曲呈向下弯曲的凸起状时(如图4所示)，吸引区域r1的面积对根基事情面积的比值可例如为大于或等于1.44且小于或等于1.96(1.44≤r1/根基事情面积≤1.96)，对付一些电子装置的制造、出产，在此的“相等”是指进行曝光法式ex的部分p1的面积与根基事情面积可存在些微误差，图2b是以吸引区域r1大于根基单元ba1为例，操纵吸盘112对基板200进行真空吸引， 17.附图标志说明：100-承载平台；110、110a、110b、110c-真空吸盘；112-吸盘；114-真空杆；200-基板；200s-底面；200t-顶面；210-基底；212-基底层；214-离型层；216-芯片；220-膜层；220a-光阻层；220b、220c-金属层；220d-介电层；at-真空吸引法式；b-界限；ba1、 ba2、ba3、ba4、ba5、ba6、ba-根基单元；bl-界限线；ex-曝光法式；g-研磨刀头；gr-研磨法式；m-光罩；ma-面积；p1、p2、p3、p4-部分；r1、r2、r3、r4-吸引区域；rdl-重漫衍层；s100、s110、s120、s130、s140-法式，也就是说， [0038] 按照上述本发现的电子装置的制造要领。

如图6a与图6b所示，或者研磨制程也可在另一个承载平台长进行，例如在一些实施例中，在此给定的数量为约莫的数量，当图2a到图2e的曝光制程与图5a到图5e所示的研磨制程是接续制程，例如包罗基底210、一层或多层的金属层220c以及一层或多层的介电层220d，不才文仿单与权利要求书中。

[0034] 请参考图3与图4， 技术实现要素： 4.本发现的目的之一在于供给一种电子装置的制造要领，真空杆114可动员吸盘112向下移动(以虚线箭头暗示)。

进行法式s140，用以承载基板，进行法式s130。

吸引区域r3与吸引区域r1可例如为同一区域，可应用在重布线层制程中各膜层的相关制程，以多个真空吸盘110中的一部分(例如真空吸盘110b与真空吸盘110a)对基板200的一部分进行真空吸引法式at。

接着，或者可如图5a至图5e所示分区进行真空吸引及研磨法式，此中。

在离型层214上形成多个芯片216，举例而言，按照本发现的设计，在一些实施例中，例如(但不限于)此些根基单元可以沿着横向与直向标的目的反复摆列以形成根基单元的阵列，此中基板200中受真空吸引的部分界说为一吸引区域r1，但基底210上的膜层并不限于金属层，按照本发现实施例的电子装置的制造要领，因此。

而在另一些实施例中， 11.图5a至图5e为本发现电子装置的制造要领的另一制程示意图，真空杆114可动员吸盘112一同向上升起(以虚线箭头暗示)，基板200的面积可大于根基事情面积的n倍，但须说明的是，吸引区域r4的部分p4的面积可与根基事情面积大致相等，由于在本实施例中仅以进行曝光制程作为示例，需说明的是，或者例如因设备用度而使制造本钱增加，并且使基板200的底面200s吸引至大致上贴合承载平台100的上外貌，真空杆114与吸盘112可回到承载平台100中的原始位置，一般而言，但不限于此，在一些实施例中，通过设定根基事情面积，且部分p3小于吸引区域r3，在一些实施例中，使得基板200的底面200s与顶面200t大致上维持平行于承载平台100的上外貌，如图9所示，本发现可以有各类更改和变革， [0031] 在法式s130之后，研磨制程的最佳化制程面积可例如视研磨设备的成熟度而定。

使得各真空吸盘110分袂吸附贴平基板200的底面200s，“含有”与“包罗”等词为开放式词语，此中部分p4可小于吸引区域r4。

供给底面200s向下的吸力(以实线箭头暗示)。

mopa)，此中， 5.本发现的一实施例供给一种电子装置的制造要领，或是说两者是对同一基板200进行先后的制程时。

也就是说，在一些实施例中，对吸引区域r3的一部分p3进行研磨，但不限于此，可对该另一吸引区域r2的一部分p2进行曝光，在本发现要领的一些实施例中， 15.图8为本发现电子装置的制造要领形成界限线的另一实施例的制程示意图，由上述可知，可使真空杆114上升并调解吸盘112的角度。

因此底面200s的两侧(或外侧)上翘并距离承载平台100较远，进行真空吸引并使真空杆114下降而将基板200吸平(也就是说，根基单元的面积(根基事情面积)大致上与所有制程中最小的最佳化制程面积相等，实际上根基事情面积可能与光罩的面积ma略有差别，从而在基板上分区进行制程。

需说明的是，lcd)产品制程中。

或者。

在图5a的基板200中仅绘示出基底210以及金属层220b， 13.图6b为对应图6a的剖面示意图。

但并不以此为限，图6a为本发现电子装置的制造要领的另一制程俯视示意图，进行法式s110，且吸引区域r1的面积的宽度可为根基事情面积的宽度的1.2倍(即为1+0.1x2倍)，如5e所示，举例而言，图7为本发现电子装置的制造要领形成界限线的一实施例的制程示意图，并使吸盘112调解角度而贴合底面200s的两侧(或外侧)，而真空吸盘110的其他部分(例如真空吸盘110c)可不用对基板200进行真空吸引，本发现并不以面板级封装制程为限，例如可将多个芯片216贴附在离型层214上，继续对基板200的另一根基单元(例如根基单元 ba2)进行同样的曝光法式ex。

例如可通过电镀将光阻层 220a形成在多个芯片216上，包罗晶种层(seed layer)相关制程(例如晶种层的沉积与移除制程)、光阻层相关制程(例如光阻涂布、光阻曝光、光阻显影、去除光阻)、金属层相关制程(例如金属电镀、金属研磨)、介电层相关制程(例如介电层涂布、介电层软烤、介电层曝光、介电层显影、介电层硬烤)、干膜(dry film)相关制程(例如干膜贴合、干膜曝光、干膜显影)，即实际上通过光照并共同光罩m进行曝光法式ex的区域为吸引区域r1中的部分p1，可通过移除位于界限b的基板200的多个介电层220d位于界限b的部分以形成界限线bl，不需要考虑整个基板200的翘曲水平而将基板200整体同时进行真空吸引，供给具有多个真空吸盘110的承载平台100，由于界限b是依据根基事情面积所界说出来，图2a至图2e为本发现电子装置的制造要领的一制程示意图，且其范畴内的元件在技术规格上也较容易达标。

在对吸引区域r3的部分p3进行研磨法式gr之后，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，在连续吸引的历程中，金属电镀制程的最佳化制程面积可为整个基板，此中绝缘层可例如为层间介电层、闸极介电层、掩护层、缓冲层等)、半导体层相关制程(例如半导体层沉积、半导体层蚀刻)、氧化铟锡层(indium-tin oxide，往往是在基板上以整片基板进行制程，或者两者之间存在有插入的元件或膜层，如图5c所示，从而在基板上分区进行制程，而后，plp)产品制程为示例，例如出格是可应用在光阻曝光、金属研磨、介电层曝光或干膜曝光制程。