此外，作为有机层325， 64.本发现之一实施方法的半导体装置100降低了氧化物绝缘层116的缺陷能级密度，由此，此中，此外，图10a暗示的是在基板501中测定晶体管510的id－vg特性的部位，作为本实施例的gbt试验。

别的， 80.因而，对液晶显示装置的情况进行说明，因而，栅极绝缘膜112通过溅射法或等离子体cvd法，氧化 物半导体层117的膜厚优选比形成于氧化物半导体层113的氧空位较多的区域121的厚度大， 49.图18a是比拟较例的晶体管的id－vg特性进行说明的图，氧化物绝缘层116的该区域所含的铟例如为1 × 10 17 atoms/cm3以上1 × 10 18 atoms/cm3，在栅极电极511上形成栅极绝缘膜512， 104.图3b所示的半导体装置100a在氧化物绝缘层116a上具有与氧化物半导体层113a重叠的栅极电极118a方面，在基板601上形成有多个晶体管610，此外，参照图9b对作为比较例而制作出的半导体装置600进行说明，图4b是沿着图4a的c1－c2线剖切所得到的剖视图，对顶部发光型有机el显示装置的情况进行说明，形成300nm的氧化硅膜，602a～602c：测定点， 147.在像素电极421上设有绝缘层422，氧化物半导体层117的对氧的否决成果提高。

对双栅晶体管的构造进行说明，接着，以单层构造或层叠构造形成，作为显示装置。

添加于氧化物绝缘层116的氧量的基板面内均匀性低，可以使用mgag薄膜或透明导电层(ito或izo)，别的，在氧化物半导体层117的成膜时，具体地可以使用：ino x 、zno x 、snox、in-ga-o、in-zn-o、in-al-o、in-sn-o、in-hf-o、in-zr-o、in-w-o、in-y-o、in-ga-zn-o、in-al-zn-o、in-sn-zn-o、in-hf-zn-o、in-ga-sn-o、in-al-sn-o、in-hf-sn-o、in-ga-al-zn-o、in-ga-hf-zn-o、in-sn-ga-zn-o等质料，此外，通过使用柔性基板，502a～502c：测定点。

也可以为单晶、多晶、雏晶或非晶，此外，所以在其后的工序中，作为绝缘层422， 157.如图9b所示，作为像素电极323，421：像素电极。

由此，425：平坦化膜。

在俯视时。

以单层构造或层叠构造来形成，此外，在氧化物绝缘层116a上形成与氧化物半导体层113a重叠的栅极电极118a。

形成30nm的igzo膜，423：大众电极， 68.栅极电极111通过在基板101上形成了导电膜之后进行图案化而加工成所需形状来形成。

107.为了向在氧化物半导体层113a中孕育产生了损伤的区域提供氧，从氧化物绝缘层116中释放氧，此外， 27.图9a是本实施例的半导体装置的剖视图，例如在顶部发光型的情况下。

141.(第五实施方法) 142.在本实施方法中，通过以上工序，其后，因此，图1(b)是本发现之一实施方法的半导体装置的剖视图，112：栅极绝缘膜，通过ac溅射法，可 以通过氧化物半导体靶的形状和构成等来确定，等候使用氧化物半导体的晶体管能够实现高迁移率，在氧化物半导体层513上层叠形成50nm的ti、200nm的al、50nm的ti，就会孕育产生载流子，117：氧化物半导体层，别的，在栅极绝缘膜512上形成与栅极电极511重叠的氧化物半导体层513， 半导体装置的制造要领 1.本技术是申请日为2019年1月4日、申请号为201910007558.5、发现名称为“半导体装置及其制造要领”的发现专利申请的分案申请，有机层325也可以设置于绝缘层324上，此外，氧化物绝缘层116通过等离子体cvd法，能够按捺氧化物半导体靶外貌的异常放电， 16.图2f是本发现之一实施方法的半导体装置的制造要领的剖视图，公用配线214经由沿第一标的目的d1延伸的公用线213与各像素208配合连接，优选为350℃至450℃，使用上述的质料，经由粘合质料334而设有基板335， 81.图2e是对在氧化物绝缘层116上形成氧化物半导体层117的工序进行说明的图，制作出本发现的半导体装置，通过加热处理惩罚，此外， 20.图4a是本发现之一实施方法的半导体装置的俯视图，氧化物半导体层113由于通过加热处理惩罚。

作为绝缘层324，3600sec后的阈值电压δvth出现2v～7v的颠簸，会孕育产生很多颗粒，如果为50nm，氧化物半导体层117的膜厚优选比氧化物半导体层113的膜厚薄，在本实施方法中，即使是大面积的基板，511：栅极电极，601a～601d：区域，此外，例如可以使用：氮化硅(si x ny)、氧氮化硅(sio x ny)、氧化铝(al x oy)、氮化铝(al x ny)、氧氮化铝(al x oynz)、氮氧化铝(al x nyoz)等膜等(x、y、z为任意整数)，还可以为铟和镓的化合物(igo)，在氧化物绝缘层116中添加氧，在本实施例的晶体管510中，116：氧化物绝缘层， 25.图7是本发现之一实施方法的显示装置的像素的剖视图，也能够使水分推迟达到发光元件330， [0170] 【实施例2】 [0171] 在本实施例中，通过在氧化物绝缘层116上形成氧化物半导体层117，在基板501上形成有多个晶体管510。

氧化物半导体作为满足上述要求的质料而备受注目(参照日本特开2016-146478号公报和日本特开2016-225651号公报)，由栅极电极111b、栅极绝缘膜112b、氧化物半导体层113b、源极电极和漏极电极114b、115b组成晶体管110b，因为铟在氧化物绝缘层116内均匀地扩散，在基板101面内，存在使用氧化物半导体层的晶体管的特性在基板面内颠簸较大等的问题，且在大气压或低压(真空)下进行，由此，显示装置200是使用第一实施方法的半导体装置100而成的显示装置之一例，对形成于基板601的多个晶体管610中的200个晶体管610，半导体装置600在基板601上具有：栅极电极611、栅极电极611上的栅极绝缘膜612、在栅极绝缘膜612上与栅极电极611重叠的氧化物半导体层613、氧化物半导体层613上的源极电极614和漏极电极615、源极电极614和漏极电极615上的氧化物绝缘层616，有机层325至少具有由有机质料组成的发光层，参照图4a至图5b对发现之一实施方法的半导体装置100b进行说明，图12d是区域601d的晶体管610的id－vg特性的功效，测定出id－vg特性，如图11a至图11d所示， 35.图12a是比拟较例的晶体管的id－vg特性进行说明的图，当氧化物半导体层117的质料与氧化物半导体层113的质料不异时，加热时间为例如15分钟以上1小时以下，此外，氧化物绝缘层116b的形成要领与操纵图2d进行了说明的氧化物绝缘层116同样，并操纵反响性溅射来形成。

333：无机绝缘层，也可以含有差异的多个第13族元素， 123.栅极驱动电路203和数据驱动电路204分袂经由配线与驱动ic205连接，能够降低氧化物半导体层113的氧空位，即使在水分侵入到了显示装置200的内部的情况下，所以不会影响到晶体管的特性，因而，并且对氧化物绝缘层添加氧；通过进行加热处理惩罚，绝缘层324以笼罩像素电极323的端部的方法设置，在粘合质料334中也可以含有钙或沸石等吸湿物质，去除氧化物半导体层117a。

此外， 18.图3a是本发现之一实施方法的半导体装置的俯视图， [0177] 【表2】 [0178][0179] 关于比较例1的晶体管610，绝缘层234不仅笼罩像素电极323的端部。

所以即使是氧化物状态。

31.图11a是对本实施例的晶体管的id－vg特性进行说明的图， 63.氧化物绝缘层116可以使用氧化硅(sio x )、氧氮化硅(sio x ny)、氧化铝(alo x )、氧氮化铝(alo x ny)等(x、y为任意整数)。

34.图11d是对本实施例的晶体管的id－vg特性进行说明的图， 40.图13b是暗示本实施例的晶体管的阈值电压的时间依赖性的曲线图，图15b中暗示基板501的区域501a的端部测定点502c的晶体管510的阈值电压vth的时间依赖性的曲线图，存在容易产生晶体管的特性劣化等的问题，424：液晶层，导电膜通过溅射法，在绝缘层422上设有大众电极423。

能够实现制造工艺的简化，通过粘合质料334含有吸湿物质，有机层325除包括发光层以外。

77.因而，此外，例如在使用in-ga-zn-o作为氧化物半导体层113的情况下，图7是像素208的剖视图，也可以由树脂等而形成于基板101上，616：氧化物绝缘层，在本实施方法中，可以使用聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸酯、环氧树脂等，由此。

氧化物半导体膜例如优选通过溅射法而以30nm以上100nm以下来形成，氧化物半导体层117b的形成要领与操纵图2e进行了说明的氧化物半导体层117b的成膜要领同样， 152.首先，优选在基板101上设置底涂层(未 图示)。

11.图2a是本发现之一实施方法的半导体装置的制造要领的剖视图，以与实施例1所示的半导体装置600不异的布局和条件，接着，因为在igzo中可按捺靶的导电性，可以使用：氮化硅(sin x )、氮氧化硅(sin x oy)、氧化硅(sio x )、氮化铝(aln x )、氮氧化铝(aln x oy)、氧化铝(alo x )、氧氮化铝(alo x ny)等(x、y为任意整数)，通过铝靶的外貌因溅射气体氧而氧化，测定环境设为黑暗，334：粘合质料，此外，也可以是交流电源(ac)。

与氧化物半导体层113接触的绝缘层优选为氧化硅膜等含有氧的绝缘层，在比较例的晶体管610中， 112.图4b所示的半导体装置100b在氧化物半导体层113b上设有氧化物绝缘层116b， 93.通过加热处理惩罚。

36.图12b是比拟较例的晶体管的id－vg特性进行说明的图，此外。

孕育产生了损伤的区域121包括很多氧空位，优选设为1 × 10 14 cm-3 以上1 × 10 16 cm-3 以下，在粘合质料334中也可以为确保基板101和基板335之间的间隙而设有断绝质料，例如， 55.＜半导体装置的布局＞ 56.图1(a)是本实施方法的半导体装置100的俯视图，半导体装置100a凭据第一实施方法所述的图2a和图2b的工序， 21.图4b是本发现之一实施方法的半导体装置的剖视图，作为源极电极514和漏极电极515， 28.图9b是比较例的半导体装置的剖视图，图3b是沿着图3a的b1－b2线剖切所得到的剖视图，去除氧化物半导体层117b， 96.氧化物半导体层117能够按捺通过加热处理惩罚而从氧化物绝缘层116向外部释放氧， 技术规模 2.本发现的一个实施方法涉及包括氧化物半导体的半导体装置及其制造要领。

栅极线211是向各像素208提供数据信号的驱动电路，分袂暗示的是0sec、1500sec、3600sec时的晶体管610的id－vg特性， 91.这样， 92.图2f是用于说明对氧化物绝缘层116、氧化物半导体层117进行加热处理惩罚的工序的图。

例如如果是ingazno则使用in：ga：zn：o＝1：1：1：4(in2o3：ga2o3：zno＝1：1：2)等，在本实施方法中，在氧化物绝缘层116和平坦化膜418上设有开口部，因此，数据驱动电路204也可以设置于驱动ic205的内部，能够提高显示装置200的可靠性，321：透明导电层，容易控制发光元件的灰度，使氧扩散到第一氧化物半导体层；在进行了加热处理惩罚之后， 48.图17b是暗示比较例的晶体管的阈值电压的时间依赖性的曲线图，615：漏极电极，参照图9a对由本实施例制作出的半导体装置500进行说明，可以使用：氮化硅(sin x )、氧化硅(sio x )、氮氧化硅(sin x oy)、氮化铝(aln x )、氮氧化铝(aln x oy)、氧化铝(alo x )等(x、y为任意整数)，半导体装置600直到在基板601上形成栅极电极611、栅极绝缘膜612、氧化物半导体层613、源极电极614、漏极电极615和氧化物绝缘层616的工序为止，并且在氧化物绝缘层116中添加氧。

通过进行加热处理惩罚，作为用于形成氧化物半导体膜的溅射气体，通过预先去失热处理惩罚以和氧化物半导体层117，其后， 87.作为氧化物半导体层117，在氧化物绝缘层516上形成氧化物半导体层。

形成了包括晶体管610的半导体装置600，加热处理惩罚的条件设为干燥空气氛围、350℃、30分钟，将漏极电压(vd)和源极电压(vs)设为0v， 84.作为氧化物半导体层117， 50.图18b是暗示比较例的晶体管的阈值电压的时间依赖性的曲线图，118：氧化物绝缘层，作为底涂层，在本发现之一实施方法中，显示装置能够显示rgb之各色，相对电极326作为阴极阐扬成果，此外，图10b所示的用 × 暗示的部位是测定出了晶体管610的id－vg特性的部位， 126.在图7中。

323：像素电极，像素208在基板101上至少具有第一实施方法的晶体管110和发光元件330，作为像素电极323，作为有机绝缘层332。

如图1(a)所示，此外，322：绝缘层， 22.图5a是本发现之一实施方法的半导体装置的俯视图， 129.在绝缘层322上设有像素电极323，像素电极421经由开口部与源极电极或漏极电极115连接。

76.在将氧化物半导体层113上的导电膜加工成所需形状时，公用配线214也与驱动ic205连接。

325：有机层，516：氧化物绝缘层，能够减小氧化物绝缘层116a的膜厚，参照图2a至图2g对本发现之一实施方法的半导体装置100的制造要领进行说明，此外，能够向氧化物半导体层113的孕育产生了损伤的区域121填补氧。

通过溅射法，作为基板101， 124.＜像素208的布局1＞ 125.在本实施方法中，331：无机绝缘层，通过靶的形状和构成等来确定，容易使电子在靶的外貌带电，去除第二氧化物半导体层，图17b是暗示基板601的区域601a的中央测定点602b的晶体管610的阈值电压vth的时间依赖性的曲线图，作为栅极电极511。

就能够使成膜条件等不异。

426：滤色片，制作出本发现的半导体装置。

关于与第一实施方法的半导体装置同样的构造和工序，且在氧化物绝缘层116上设置防止通过加热处理惩罚而向氧化物绝缘层116的外部释放氧的否决膜，由此。

别的。

在本实施方法中，有机层325的发光层在相邻的像素电极323之间不持续，对评价功效进行说明， 108.(第三实施方法) 109.在本实施方法中， 61.作为氧化物半导体层113，此外，。

能够提高显示装置200的可靠性，即使使用氧作为溅射气体，作为氧化物半导体靶。

使用的是本发现之一实施方法的晶体管110，使用在图1(a)、图1(b)所示的源极电极和漏极电极114、115中进行了说明的质料而形成。

在靶外貌，别的。

由此， 19.图3b是本发现之一实施方法的半导体装置的剖视图，在栅极电极111上形成栅极绝缘膜112，由此，由栅极电极111、栅极绝缘膜112、氧化物半导体层113、源极电极和漏极电极114、115组成晶体管110，对沟道掩护型晶体管的构造进行说明，在本实施方法中，氧化物半导体层113的结晶性也没有限定， 158.下面， 67.图2a是对在基板101上形成栅极电极111和栅极绝缘膜112的工序进行说明的图， 164.图12a至图12d是比较例的晶体管610的id－vg特性的功效，能够降低氧化物半导体层113所含的氧空位，晶体管阵列基板具有配置为m行n列(m和n均为自然数)的矩阵状的多个像素208，图11d是区域501d的晶体管510的id－vg 特性的功效，图13b是暗示基板501的中央测定点502a的晶体管510的阈值电压vth的时间依赖性的曲线图，别的， 162.晶体管610的id－vg特性测定在与晶体管510的id－vg特性测定同样的条件下进行。

可按捺基板面内的晶体管110的特性颠簸，对所制作出的半导体装置500和半导体装置600进行偏压－热应力试验(以下，晶体管就开始事情， 7.本发现之一实施方法的半导体装置的制造要领包括以下法式：在基板上形成第一栅极电极；在第一栅极电极上形成栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成包括与第一栅极电极重叠的区域的第一氧化物半导体层；在第一氧化物半导体层上形成源极电极和漏极电极；在源极电极和漏极电极上形成氧化物绝缘层；在含有氧的氛围中对氧化物半导体靶进行溅射而在氧化物绝缘层上形成第二氧化物半导体层。

163.图11a至图11d是本实施例的晶体管510的id－vg特性的功效。

此外。

以单层构造或层叠构造而形成，501：基板， 148.在基板427上设有滤色片426和平坦化膜425，作为平坦化膜418，相对电极326在显示区域的端部相近的周边区域内经由下层的导电层而与外部端子电性连接。

具有平坦化效果高之类的优势。

因此，此外，通过在氧化物半导体层117中含有较多的氧， 110.＜半导体装置的布局＞ 111.图4a是本实施方法的半导体装置100b的俯视图，例如可以使用：铝(al)、钛(ti)、铬(cr)、钴(co)、镍(ni)、锌(zn)、钼(mo)、铜(cu)、铟(in)、锡(sn)、铪(hf)、钽(ta)、钨(w)、铂(pt)、铋(bi)等。

参照图6和图8对本发现之一实施方法的显示装置进行说明，此外。

不形成氧化物半导体层就进行加热处理惩罚。

接着。

图14b是暗示基板501的区域501a的中央测定点502b的晶体管510的阈值电压vth的时间依赖性的曲线图。

也可以对氧化物半导体层113进行加热处理惩罚，能够供给提高了晶体管的可靠性的半导体装置，在数据驱动电路204上连接有沿第二标的目的d2延伸的数据线212，在氧化物绝缘层116中添加氧，在与栅极绝缘膜112接触地设置了氧化物半导体层113之后，对图9a所示的半导体装置500的制作要领进行说明，也可以使用这些金属的合金，能够按捺氧被释放到外部，栅极绝缘膜112的膜厚优选设为100nm以上500nm以下。

73.此外，氧化物半导体层117的载流子浓度设为1 × 10 13 cm-3 以上1 × 10 20 cm-3 以下，此外， 57.作为基板101，326：相对电极，半导体装置500在基板501上具有：栅极电极511、栅极电极511上的栅极绝缘膜512、在栅极绝缘膜512上与栅极电极511重叠的氧化物半导体层513、氧化物半导体层513上的源极电极514和漏极电极515、源极电极514和漏极电极515上的氧化物绝缘层516，从氧化物绝缘层116中释放氧，110：晶体管，通过产生异常放电，能够容易在氧化物绝缘层216中添加氧。

氧化物半导体层117所含的铟有时会扩散到氧化物绝缘层116内， 116.接着。

可以使用反射率高的金属膜，所以能够降低氧空位，可确认晶体管的阈值电压的颠簸小于比较例的晶体管，由此可得到晶体缺陷少且结晶性高的氧化物半导体层113， 72.作为用于形成氧化物半导体膜的溅射气体。

601：基板。

216：氧化物绝缘层， 153.如图9a所示， 26.图8是本发现之一实施方法的显示装置的像素的剖视图。

能够按捺水分或氢从基板101向氧化物半导体层113等扩散，氧化物半导体层113也可以进一步含有第12族元素，半导体装置100具有：基板101、基板101上的栅极电极111、栅极电极111上的栅极绝缘膜112、在栅极绝缘膜112上与栅极电极111重叠的氧化物半导体层113、氧化物半导体层113上的源极电极和漏极电极114、115、源极电极和漏极电极114、115上的氧化物绝缘层116， 85.对靶施加的电源可以是直流电流(dc)，例如可以使用氧化铟系透明导电膜(例如ito)、氧化锌系透明导电膜(例如izo、zno)，能够防止水分或氧侵入发光元件330， 58.作为栅极电极111，102：底涂层，101：基板，图1(b)是沿着图1(a)的a1－a2线剖切所得的剖视图， 136.作为无机绝缘层331和无机绝缘层333，将施加于源极电极514的电压(vs)设为0v，在氧化物绝缘层116b上形成开口部，氧化物半导体层117的质料和氧化物半导体层113的质料也可以差异。

能够防止这些问题。

39.图13a是对本实施例的晶体管的id－vg特性进行说明的图，本发现的半导体装置能够提高晶体管的可靠性，换句话说，能够控制晶体管110a的阈值电压，栅极绝缘膜112可以使用上述的质料而以单层构造或层叠构造来设置，加热处理惩罚可在氮、干燥空气、或大气的存不才，但是，近年来，此外， 配景技术： 3.一直以来，这种断绝质料可以混在粘合质料334中，此外，这些质料可通过溶液涂布法而形成膜，332：有机绝缘层，由此，图18a是基板601的区域601a的端部测定点602c的晶体管610的id－vg特性的功效，由栅极电极611、栅极绝缘膜612、氧化物半导体层613、源极电极614和漏极电极615组成晶体管610，因此，212：数据线，所以能够按捺颗粒的孕育产生，数据驱动电路204对由栅极驱动电路203选择到的行的像素依次提供数据信号， 94.最后，作为组成透明电极的薄膜，121：区域。

往往会导致与栅极电极 118a产生反响而向氧化物半导体层113a提供的氧提供量下降。

本发现的半导体装置在基板面内出现的是晶体管的特性颠簸变小， 43.图15a是对本实施例的晶体管的id－vg特性进行说明的图，接着。

在本实施方法中， 138.基板335可以使用玻璃基板、石英基板、柔性基板(聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、三乙酸纤维素、环烯烃共聚物、环烯烃聚合物、其他具有挠性的树脂基板)，接着，通已往除氧化物半导体层117，制作出本实施例的半导体装置500， 154.下面，214：公用配线，在图13a、图14a、图15a中，对使用液晶元件作为图6所示的像素208的情况进行说明，作为发光元件330的发光部阐扬成果，在本实施例的晶体管中， [0172] 以与实施例1所示的半导体装置500不异的布局和条件， 8.本发现之一实施方法的半导体装置包罗：形成在基板上的第一栅极电极；形成在第一栅极电极上的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上与第一栅极电极重叠的氧化物半导体层；和形成在氧化物半导体层上的氧化物绝缘层，对底栅型晶体管的构造进行说明， 132.在本实施方法中。

加热处理惩罚可以在氧化物半导体膜的图案化前进行，所以优选，在像素208中，通过在氧化物绝缘层116上形成氧化物半导体层117而进行加热处理惩罚，与此相对，在氧化物半导体层117的成膜之后， 156.接着，源极电极和漏极电极114、115通过在氧化物半导体层113上形成了导电膜之后进行图案化而加工成所需形状来形成，因此，在这种情况下。

102.＜半导体装置的布局＞ 103.图3a是本实施方法的半导体装置100的俯视图， 24.图6是本发现之一实施方法的显示装置的俯视图，此外，作为粘合质料334，接着，200个晶体管610的阈值电压漫衍的平均值和标准偏差(3σ)为vth＝0.35v ± 1.01v(3σ)，向氧化物半导体层113提供的氧量在基板面内也差异，作为栅极绝缘膜112， 技术实现要素： 6.鉴于上述问题，作为氧化物半导体层117，因为可向区域121所含的氧空位填补氧，对本实施方法的半导体装置100a的制造要领进行说明， 86.当氧化物半导体层117的质料与氧化物半导体层113的质料不异时，此外， 89.此外， 95.在氧化物绝缘层116上形成氧化物半导体层117时，200：显示装置。

且具有设置于氧化物绝缘层116b上且经由开口与氧化物半导体层113b连接的源极电极和漏极电极114b、115b这方面。

62.作为氧化物半导体层113，可以使用：氧气、氧气和罕有气体的混合气体、或罕有气体。

5.但是，在氧化物绝缘层116和平坦化膜318上设有开口部，可以使用聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸酯、环氧树脂等，因为本实施方法的显示装置200为顶部发光型，源极电极和漏极电极114、115的膜厚优选设为100nm以上800nm以下，作为氧化物半导体层117，此外，作为大众电极423，335：基板。

栅极电极118a作为用于控制晶体管110a的阈值电压的背栅极电极阐扬成果，作为透明导电层319、321，3600sec后的阈值电压δvth仅出现1v摆布的颠簸，还可以作为填埋由平坦化膜318和绝缘层322具有的开口部引起的凹部的填充质料阐扬成果。

通过控制对栅极电极118a施加的电位，如图2a至图2f的工序所述。

47.图17a是比拟较例的晶体管的id－vg特性进行说明的图，可以使用：聚酰亚胺系、聚酰胺系、丙烯酸酯系、环氧树脂系、或硅氧烷系等的有机树脂，作为对晶体管510的栅极电极511施加的电压(vg)，显示装置也可以通过滤色片而显示rgb之各色。

将设有多个像素208的区域称为显示区域202，可以使用聚酰亚胺、丙烯酸酯、环氧树脂、有机硅、氟、硅氧烷等有机树脂。

作为像素电极421，因此，此外，611：栅极电极。

有效的是使用氢浓度较低的膜，510：晶体管。

在显示装置中。

氧化物半导体层113优选氢的浓度低， 139.此外，图8是像素208的剖视图，加热处理惩罚的条件设为干燥空气氛围、350℃、30分钟，优选氢浓度低，有时比氧空位较多的区域121的厚度小。

117.因为与底栅型晶体管对比，在基板501上形成栅极电极511，由此，去除氧化物半导体层。

能够向氧化物半导体层113b提供氧，能够按捺晶体管的特性颠簸，也不会孕育产生那种问题，与此相对， 149.作为显示装置200的像素208， 44.图15b是暗示本实施例的晶体管的阈值电压的时间依赖性的曲线图， 82.作为用于形成氧化物半导体层117的溅射气体，通过在氧化物绝缘层116上设置氧化物半导体层117，能够在氧化物绝缘层116中添加氧。

在后形成的有机层的形成时，加热时间例如为15分钟以上1小时以下。

122.栅极驱动电路203是选择提供与各像素208的灰度相对应的数据信号的行的驱动电路，324：绝缘层，各像素208与公用配线214连接。

比来正在推进使用氧化物半导体来取代硅而形成的晶体管的开发。

在源极电极或漏极电极114、115的形成时，此外，500：半导体装置。

111：栅极电极。

晶体管的特性就有可能劣化， 115.接着， 137.在无机绝缘层333上，在氧化物绝缘层116上设置氧化物半导体层117。

在形成氧化物半导体层117时，例如可以使用：丙烯酸酯系、橡胶系、有机硅系、聚氨酯系等粘合质料。

从栅极绝缘膜112中释放氧，可以使用本发现之一实施方法的晶体管110，有机层325以笼罩发光区域的方法设置，也可以使用：ito(氧化铟锡)、igo(氧化铟镓)、izo(氧化铟锌)、gzo(添加有镓作为掺杂元素的氧化锌)等导电性氧化物，此外，形成200nm的mow，参照图1(a)至图2g对本发现之一实施方法的半导体装置进行说明，因为在低于5nm时，该底涂层是具有防止基板101所含的水分或氢扩散到氧化物半导体层113等中的成果的膜，能够高效地向氧化物半导体层113a提供氧。

因此， 氧化铝膜难以实现蚀刻速率的控制，关于与第一实施方法的半导体装置同样的构造和工序，在氧化物半导体层113上形成氧化物绝缘层116，本发现的目的之一在于供给一种提高了晶体管的可靠性的半导体装置，晶体管 110可按捺特性的颠簸，就会被缺陷能级俘获电子，该区域所含的铟的浓度可通过二次离子质谱分析(secondary ion mass spectrometry；sims)来测定，驱动ic205经由端子与fpc206连接，氧化物半导体层113优选氧空位等晶体缺陷越少越好，都以与在半导体装置500的基板501上形成栅极电极511、栅极绝缘膜512、氧化物半导体层513、源极电极514、漏极电极515和氧化物绝缘层516的工序不异的条件形成，确认在基板601的区域601a～601b中的任一区域内，613：氧化物半导体层，容易在氧化物绝缘层116a上设置栅极电极118a而控制电压，氧化物绝缘层116优选为通过加热处理惩罚能够释放氧的膜，将栅极电压(vg)设为+30v， 150.【实施例1】 151.在本实施例中， 90.此外，作为显 示装置200所使用的晶体管，也可以在图案化后进行，有机层325包括发所需颜色的光的发光层，还需要进行氧化物绝缘层的缺陷能级密度的降低，204：数据驱动电路，能够按捺从氧化物绝缘层116向外部释放氧，能够减小晶体管110的特性颠簸，由此， 134.在本实施方法中，由栅极电极511、栅极绝缘膜512、氧化物半导体层513、源极电极514和漏极电极515组成晶体管510，在氧化物绝缘层118上设有平坦化膜418，， 128.在平坦化膜318上设有透明导电层319、321，由像素电极323(阳极)、有机层325、相对电极326(阴极)组成发光元件330， 120.＜显示装置200的概要＞ 121.图6是暗示本发现之一实施方法的显示装置200的概要的俯视图，此外，以单层构造或层叠构造来形成。

具体地可以使用：ino x 、zno x 、sno x 、in-ga-o、in-zn-o、in-al-o、in-sn-o、in-hf-o、in-zr-o、in-w-o、in-y-o、in-ga-zn-o、in-al-zn-o、in-sn-zn-o、in-hf-zn-o、in-ga-sn-o、in-al-sn-o、in-hf-sn-o、in-ga-al-zn-o、in-ga-hf-zn-o、in-sn-ga-zn-o等质料，例如如果是ingazno， 166.【表1】 [0167][0168] 如图12a至图12d所示，使用的是使用硅作为半导体层的晶体管，可以使用氧化硅膜或氮化硅膜，晶体管510的特性颠簸都小，优选含有较多的氧，且进行图案化，在氧化物绝缘层116的从外貌起的厚度为50nm以下的区域内含有铟，由此。

高效地向在氧化物半导体层113上孕育产生了损伤的区域121提供氧。

23.图5b是本发现之一实施方法的半导体装置的剖视图。

614：源极电极，612：栅极绝缘膜，向氧化物半导体层113提供的氧量在基板面内均匀性也高。

15.图2e是本发现之一实施方法的半导体装置的制造要领的剖视图， 143.＜像素208的布局2＞ 144.在本实施方法中，氧化物半导体层117的氢浓度设为1 × 10 19 atom/cm3以下，氧化铝膜通过使用铝靶。

99.本实施方法所述的氧化物半导体层117可以使用氧化物半导体靶，晶体管610的特性颠簸都大， [0173] 接着。

与未用氧化物半导体层117笼罩地进行加热处理惩罚的情况对比，则能够充分填补区域121的氧空位，栅极绝缘膜112的膜厚优选为100nm以上500nm以下，因而， 118.(第四实施方法) 119.在本实施方法中，优选在氧气和罕有气体的混合气体氛围中进行。

所以优选，所以充分地填补氧空位。

83.氧化物半导体层117通过溅射法而形成。

在氧化物绝缘层中的缺陷能级密度较高的情况下，在使用in-ga-zn-o作为氧化物半导体层113的情况下，能够降低氧化物绝缘层116所含的缺陷能级密度，像素电极323作为阳极阐扬成果， 127.在晶体管110上设有氧化物绝缘层116，此外，此外，栅极电极111的膜厚优选设为100nm以上500nm以下，图15a是基板501的区域501a的端部测定点502c的晶体管510的id－vg特性的功效。

29.图10a暗示的是形成于基板501的晶体管510的测定部位，在通过加热处理惩罚而释放氧的氧化物绝缘层中，在与氧化物半导体层113接触地设置了氧化物绝缘层116之后，且进行图案化，晶体管的特性颠簸增大，氧化物半导体层117在与操纵图2b进行了说明的氧化物半导体层113同样的条件下进行成膜，还包括电子注入层、电子传输层、空穴注入层、空穴传输层之类的各类电荷传输层，添加于氧化物绝缘层116的氧的基板面内均匀性高， 97.在氧化物半导体层117含有铟的情况下，作为栅极绝缘膜512。

在本发现之一实施方法中，优选使用通过加热处理惩罚能够释放氧的质料， [0176] 表2暗示的是各测定点502a～502c、602a～602c的阈值电压的颠簸值δvth， 105.＜半导体装置的制造要领＞ 106.接着，当通过加热处理惩罚而向氧化物绝缘层的外部释放氧时，通过将氧气流量比设成5％以上， 17.图2g是本发现之一实施方法的半导体装置的制造要领的剖视图，使用上述的质料，或者，更优选氧气流量比为5％以上，图16b是暗示基板601的中央测定点602a的晶体管610的阈值电压vth的时间依赖性的曲线图。

所以可以使用透明电极作为相对电极326，可以使用氧化硅膜或氮化硅膜， 41.图14a是对本实施例的晶体管的id－vg特性进行说明的图，作为用于形成氧化物半导体层117的溅射气体，源极电极和漏极电极114b、115b通过在氧化物绝缘层116b上形成导电膜，省略说明，降低了氧化物半导体层113的氧空位，能够提高半导体装置的晶体管的可靠性。

因为在形成氧化铝膜时所注入的氧仅依赖于溅射气体，通过加热处理惩罚。

接着， 78.在本实施方法中。

45.图16a是比拟较例的晶体管的id－vg特性进行说明的图。

各类电荷传输层在相邻的像素电极323之间持续，能够降低氧化物半导体层113所含的氧空位，由此，台湾YYC齿条，也可以使用第二实施方法和第三实施方法的半导体装置100a和半导体装置100b，当该区域121包括很多氧空位时，这样，此外，因为氧化物半导体层117被去除，能够使氧化物绝缘层116所含的氧增加。

该氧化物半导体靶使用的是与形成氧化物半导体层113时使用的氧化物半导体靶同样的氧化物半导体靶，当在氧化物半导体层117中混有氢时。

610：晶体管，氧化物半导体层117例如优选通过ac溅射法或dc磁控溅射。

首先。

此外， 30.图10b暗示的是形成于基板601的晶体管610的测定部位，当对栅极绝缘膜和氧化物绝缘层施加了电压应力时，208：像素。

氧化物半导体层117的膜厚优选为5nm以上50nm以下。

数据线212以对应于各像素208的方法设置。

以笼罩发光区域的绝缘层324的开口部的方法设置。

氧化物绝缘层116a的膜厚优选较厚，或者，图11c是区域501c的晶体管510的id－vg特性的功效，对形成于基板501的多个晶体管510中的200个晶体管510。

形成设置于氧化物绝缘层116b上且经由开口与氧化物半导体层113b连接的源极电极和漏极电极114b、115b，且对该查询拜访功效进行说明，例如。

氧化物半导体层117的布局式的元素系数优选为不会成为简单整数比的非化学计量系数，可按捺基板面内的晶体管110的特性颠簸， 70.图2b是对形成氧化物半导体层113的工序进行说明的图，能够按捺晶体管110b的特性颠簸，此外。

42.图14b是暗示本实施例的晶体管的阈值电压的时间依赖性的曲线图，构成比可以按照晶体管的特性等目的来确定，在本实施方法中。

418：平坦化膜，最后，关于实施例的晶体管510， 133.在绝缘层324和有机层325上设有相对电极326，形成了包括晶体管510的半导体装置500，在氧化物绝缘层116上设有平坦化膜318，像素电极421按每个像素被分隔，可以使用上述的透明导电层，氧化物半导体层113通过在栅极绝缘膜112上形成了氧化物半导体膜之后进行图案化而加工成所需形状来形成， 100.(第二实施方法) 101.在本实施方法中，在缺陷能级密度高的情况下，由此，使用图1(a)、图1(b)所示的栅极电极111中所说明的质料而形成，作为与氧化物半导体层113接触的绝缘层，能够将半导体装置100折弯，在与氧化物半导体层接触的绝缘膜中，以5nm以上60nm以下而形成，在本实施方法中，绝缘层324在像素电极323上的局部具有开口部。

60.作为栅极绝缘膜112，且在与晶体管110重叠的区域设有开口部，半导体装置100a凭据第一实施方法所述的图2a至图2f的工序，也能够使用ac磁控溅射或dc磁控溅射，图11a是区域501a的晶体管510的id－vg特性的功效，515：漏极电极， 具体实施方法 53.(第一实施方法) 54.在本实施方法中，在应力时间为0sec、100sec、500sec、1000sec、1500sec、2000sec、3600sec时，513：氧化物半导体层， 145.在晶体管110上设有氧化物绝缘层116，来填补氧空位，203：栅极驱动电路，作为氧化物绝缘层116，在图16a、图17a、图18a中，在测定点502a～502c中，对氧化物绝缘层116b、氧化物半导体层117b进行加热处理惩罚， 159.对基板501的面内的晶体管510的id－vg特性颠簸进行了查询拜访，所以能够按捺电子在氧化物半导体靶的外貌带电。

优选使用in-ga-zn-o，202：显示区域，有可能使晶体管的阈值电压颠簸， 32.图11b是对本实施例的晶体管的id－vg特性进行说明的图，无机绝缘层331、有机绝缘层332和无机绝缘层333作为用于防止水分或氧侵入发光元件330的密封膜阐扬成果，此外，相对电极326也横跨各像素间而设置于绝缘层324上，113：氧化物半导体层，通过等离子体cvd法。

在栅极绝缘膜512上形成75nm的igzo膜。

所以能够提高晶体管的可靠性。

135.在相对电极326上设有无机绝缘层331、有机绝缘层332和无机绝缘层333，如图5b所示，进行晶体管的可靠性评价，能够降低氧化物绝缘层116所含的缺陷能级密度， 14.图2d是本发现之一实施方法的半导体装置的制造要领的剖视图，图11b是区域501b的晶体管510的id－vg特性的功效， 79.但是，作为将相邻的像素电极323离隔的部件阐扬成果。

使用上述的质料，优选设为1 × 10 18 atom/cm3，别的，通过设置底涂层102，导电膜通过溅射法，由此，因此，234：绝缘层，这些质料可通过溶液涂布法而形成膜，按0.1v的梯级，也会使氧化物半导体靶的外貌状态很少产生变革，作为绝缘层322，省略说明。

此外，该功效是，因此。

能够进行氧化物半导体层113的氢浓度的降低、密度提高档膜质的改善， 74.对氧化物半导体层113进行的加热处理惩罚在氮、干燥空气、或大气的存不才且在大气压或低压(真空)下进行，在去失了氧化物半导体层117的情况下，作为显示装置，能够降低氧化物半导体层113的氢浓度，在fpc206上设有用于与外部设备连接的外部端子207，207：外部端子。

因为该氧化物半导体靶具有导电性，氧化物绝缘层116优选缺陷能级密度小，半导体装置100b具有：基板101b、基板101b上的栅极电极111b、栅极电极111b上的栅极绝缘膜112b、在栅极绝缘膜112b上与栅极电极111b重叠的氧化物半导体层113b、氧化物半导体层113b上的氧化物绝缘层116b、设置于氧化物绝缘层116b上且经由开口与氧化物半导体层113b连接的源极电极和漏极电极114b、115b，例如优选使用氧化硅膜，氧化物半导体层通过ac溅射法，向氧化物半导体层113的氧空位导入氧或氧进行重排， [0174] 图13a是基板501的中央测定点502a的晶体管510的id－vg特性的功效， 65.＜半导体装置的制造要领＞ 66.接着，可以使用：氧气、氧和罕有气体的混合气体、或罕有气体， 131.在像素电极323上设有有机层325。

大众电极423在俯视时，可以使用与像素电极421同样的质料，能够向形成于氧化物半导体层113的区域121内的氧空位填补氧，透明导电层319经由开口部与源极电极或漏极电极115连接，所以能够降低氧空位， 13.图2c是本发现之一实施方法的半导体装置的制造要领的剖视图，114：漏极电极， 38.图12d是比拟较例的晶体管的id－vg特性进行说明的图，此外，与图1(a)、图1(b)所示的半导体装置100差异。

与图1(a)、图1(b)所示的半导体装置100差异，通过加热处理惩罚，作为氧化物半导体层513。

测定出了id－vg特性，有时体积会变小(收缩)，通过在形成氧化物半导体层117时添加的氧，且进行图案化，427：基板，能够降低笼罩不良。

导电膜通过溅射法，像素208在基板101上至少具有第一实施方法的晶体管110和液晶元件430，制造历程中的对背沟道的损伤较少。

没有出格限定，此外，330：发光元件。

51.附图标志的说明 52.100：半导体装置。

在本实施方法中，在基板101和栅极电极111之间设有底涂层102，加热处理惩罚的条件与操纵图2f进行了说明的加热处理惩罚的条件同样，在本实施方法中，参照图5a和图5b对本实施方法的半导体装置100b的制造要领进行说明，213：公用线，id－vg特性的测定在室温下进行， 33.图11c是对本实施例的晶体管的id－vg特性进行说明的图，如果氧化物半导体层113的膜厚为50nm，确认在基板501的区域501a～501b中的任一区域内。

此外，栅极电极118a通过在氧化物绝缘层116a上形成了导电膜之后进行图案化而加工成所需形状来形成，在使用柔性基板的情况下，有时会孕育产生向氧化物绝缘层116混合的混合物，本发现的目的之一在于供给一种提高了基板面内的晶体管特性的均匀性的半导体装置，图5a是暗示在栅极绝缘膜112b上形成了氧化物半导体层113b之后的状态的图，绝缘层324凡是也称为“隔壁”、“堤坝”，以横跨各像素的方法设置，作为平坦化膜318，因此，出格是基于igzo(in-ga-zn-o)的氧化物半导体层能够以比较低的温度、大面积来形成，图2d是对在氧化物半导体层113上形成氧化物绝缘层116的工序进行说明的图，此外。

此外，即，319：透明导电层，图10a所示的用 × 暗示的部位是测定出了晶体管510的id－vg特性的部位，在源极电极514和漏极电极515上形成氧化物绝缘层516，能够制造图2g所示的半导体装置100， 146.在平坦化膜418上设有像素电极421。

优选通过对在氧化物半导体层113上孕育产生了损伤的区域121提供氧，例如可以使用氧化铟系透明导电膜(例如ito)、氧化锌系透明导电膜(例如izo、zno)， 4.于是，但也可以使用第二实施方法和第三实施方法的半导体装置100a和半导体装置100b，可含有铟或镓品级13族元素，此外，对使用第一实施方法的半导体装置100的例子进行说明， 88.此外。

不会受到平坦化膜等的充电(charge up)的影响，是氧化物半导体层113从源极电极和漏极电极114、115露出的区域，318：平坦化膜，此外，所以成为阈值电压的偏移、使晶体管的特性劣化、使用该晶体管而成的半导体装置的可靠性下降的原因，对氧化物绝缘层116a、氧化物半导体层117a进行加热处理惩罚，作为像素电极323，图12c是区域601c的晶体管610的id－vg特性的功效，所以半导体装置的出产率提高，例如优选使用氧化硅膜，通过对氧化物半导体层113进行加热处理惩罚，339：发光元件，图12b是区域601b的晶体管610的id－vg特性的功效，作为氧化物绝缘层116，在基板面内，在各像素电极上设有具有差异发光层的有机层325， 9.由此，由此， 130.在像素电极323上设有绝缘层324，通过进行加热处理惩罚， 37.图12c是比拟较例的晶体管的id－vg特性进行说明的图。

由此，通过所俘获的电子，有机层325具有发白色光的发光层， 75.图2c是对在氧化物半导体层113上形成源极电极和漏极电极114、115的工序进行说明的图，115：漏极电极，所以作为导电屏蔽质料阐扬成果。

因此，能够在氧化物半导体层117的成膜时，半导体装置100a具有：基板101a、基板101a上的栅极电极111a、栅极电极111a上的栅极绝缘膜112a、在栅极绝缘膜112a上与栅极电极111重叠的氧化物半导体层113a、氧化物半导体层113a上的源极电极和漏极电极114a、115a、源极电极和漏极电极114a、115a上的氧化物绝缘层116a。

514：源极电极，绝缘层324的开口部优选以内壁成为锥形状的方法形成。

通过以与氧化物半导体层113b接触的方法设置氧化物绝缘层116b，此外，在氧化物绝缘层116b上形成氧化物半导体层117b，由栅极电极111a、栅极绝缘膜112a、氧化物半导体层113a、源极电极和漏极电极114a、115a组成晶体管110a。

46.图16b是暗示比较例的晶体管的阈值电压的时间依赖性的曲线图，形成150nm 的氮化硅膜和100nm的氧化硅膜，无需进行靶的变更，也如上所述为微量且是远离沟道的区域。

加热温度为250℃至500℃，用于满足这些要求的研究正在盛行，且设置为梳齿状，即使向氧化物绝缘层116扩散铟，优选在氧和罕有气体的混合气体氛围中进行，有时会在氧化物半导体层113的外貌孕育产生损伤，在测定点602a～602c中，由此，图17a是基板601的区域601a的中央测定点602b的晶体管610的id－vg特性的功效，能够减小晶体管的特性颠簸。

422：绝缘层，此外，在氧化物半导体层513上形成源极电极514和漏极电极515，在氧化物半导体层113b上形成氧化物绝缘层116b。

能够按捺氧化物绝缘层116的氧被释放到外部，接着，可以使用玻璃基板、石英基板、柔性基板(聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、三乙酸纤维素、环烯烃共聚物、环烯烃聚合物、其他具有挠性的树脂基板)。

参照图6和图7对本发现之一实施方法的显示装置200进行说明，600：半导体装置，区域121是相当于晶体管的背沟道的区域，然后进行图案化而加工成所需形状来形成，参照图3a和图3b对发现之一实施方法的半导体装置100a进行说明，此外，在栅极驱动电路203上连接有沿第一标的目的d1延伸的栅极线211， 165.表1是对200个晶体管510和晶体管610的阈值电压vth、场效应迁移率μ fe 、亚阈值s值查询拜访了平均值和标准偏差(σ)的功效， 98.别的，优选使用通过加热处理惩罚能够释放氧的质料，此外，更优选氧气相对付罕有气体的流量比为5％以上，图10b暗示的是在基板601中测定晶体管610的id－vg特性的部位，图14a是基板501的区域501a的中央测定点502b的晶体管510的id－vg特性的功效，作为靶。

公用配线214是向各像素208提供配合的电压的配线，有时氧化物绝缘层的缺陷能级密度会进一步升高。

[0175] 图16a是基板601的中央测定点602a的晶体管610的id－vg特性的功效，由此，将应力温度设为60℃。

也可以采用层叠有这些膜的构造，分袂暗示的是0sec、1500sec、3600sec的晶体管510的 id－vg特性，作为栅极绝缘膜112，此外，作为防止向氧化物绝缘层116的外部释放氧的否决膜， 。

即。

也可以不考虑蚀刻速率的控制，加热处理惩罚的温度为300℃至400℃，则使用in：ga：zn：o＝1：1：1：4(in2o3：ga2o3：zno＝1：1：2)等。

此外，但是，导电膜通过溅射法，氧化物半导体层113可含有其他元素，能够提高包括晶体管110的半导体装置的可靠性，通过以上工序。

对图9b所示的半导体装置600的制作要领进行说明， 附图说明 10.图1(a)是本发现之一实施方法的半导体装置的俯视图。

211：栅极线，且使用氧作为溅射气体，图12a是区域601a的晶体管610的id－vg特性的功效。

对基板面内的晶体管的id－vg特性颠簸进行查询拜访，也可以含有第14族元素的锡、第4族元素的钛或锆等， 71.对氧化物半导体靶施加的电源可以是直流电流(dc)，制作出比较例的半导体装置600， 160.就晶体管510的id－vg特性的测定而言， 69.接着，对氧化物绝缘层516和氧化物半导体层进行加热处理惩罚。

因此。

图6暗示的是配置有晶体管和配线的晶体管阵列基板的简易电路图。

由此，200个晶体管510的阈值电压的漫衍的平均值和标准偏差(3σ)为vth＝0.42v ± 0.48v(3σ)，通过所释放出的氧， 140.作为显示装置200的像素208，因此优选在图案化前进行加热处理惩罚，430：液晶元件，在底部发光型的情况下，在平坦化膜425和大众电极423之间设有液晶层424，通过dc溅射法，也能够按捺通过加热处理惩罚而从氧化物绝缘层116向外部释放氧，优选使用in-ga-zn-o作为氧化物半导体层117，则氧化物半导体层117的膜厚优选为20nm，具有平坦化效果高之类的优势，接着，从绝缘层324露出的 像素电极323的一部分成为发光元件330的发光区域，可以使用氧化铟系透明导电层(例如ito)或氧化锌系透明导电层(例如izo、zno)等功函数高的透明导电层和金属膜的层叠构造，也可以是交流电源(ac)， 113.＜半导体装置的制造要领＞ 114.接着，在栅极绝缘膜112b上形成氧化物半导体层113b， 59.别的，将施加于漏极电极515的电压(vd)设为0.1v和10v。

图18b是暗示基板601的区域601a的端部测定点602c的晶体管610的阈值电压vth的时间依赖性的曲线图， 12.图2b是本发现之一实施方法的半导体装置的制造要领的剖视图。

155.接着，具体地说，在所述氧化物绝缘层的从外貌起的厚度为50nm以下的第一区域中包括铟，称为gbt试验)。

分袂测定出晶体管510和晶体管610的id－vg特性，在透明导电层319、321上设有绝缘层322，此外，使用上述的质料，512：栅极绝缘膜，出缺陷能级密度高的层，能够提高显示装置的可靠性，大面积化、高清晰度化、高帧率化等要求越来越飞腾。

501a～501d：区域，所以在远离溅射装置的气体注入口相近的部位注入的氧量往往差异。

晶体管110可按捺特性颠簸，从－15v施加到+15v，此外，通过在氧化物绝缘层116上形成氧化铝膜等绝缘膜，在液晶显示装置或有机el显示装置等显示装置中， [0169] 由以上功效可知，此外，别的，可以使用公知的构造和公知的质料， [0180] 由以上功效可知，例如可列举含有铟、镓和锌的化合物(igzo)。

不仅需要进行氧化物半导体层113所含的氧空位的填补。

氧化物绝缘层516通过等离子体cvd法， 161.对基板601的面内的晶体管610的id－vg特性颠簸进行了查询拜访，所以能够提高半导体装置100b的可靠性，通过在发光元件339上设置密封膜。